NXP и TSMC внедряют встроенную MRAM в автомобильные микроконтроллеры...

Mar 07, 2023

По данным NXP, MRAM может обновить 20 МБ кода примерно за 3 секунды – намного быстрее, чем современная стандартная технология флэш-памяти, которой для обработки того же объема данных требуется около 1 минуты. «Это сводит к минимуму время простоя, связанное с обновлением программного обеспечения, и позволяет автопроизводителям устранять узкие места, возникающие из-за длительного времени программирования модулей», — объясняет Эд Саррат, старший директор по управлению продуктами автомобильных микроконтроллеров NXP. Кроме того, MRAM обеспечивает высоконадежную технологию для автомобильных профилей задач, предлагая до миллиона циклов обновления, что в 10 раз больше, чем у флэш-памяти и других новых технологий памяти, таких как RRAM. Этот набор функций делает MRAM идеальным, если не обязательным требованием для грядущей эпохи программно-определяемых транспортных средств (SDV).

Сравнение свойств MRAM, Flash и RRAM. © НХП

Помимо более высокой скорости записи по сравнению с флэш-памятью, с помощью MRAM значительно упрощается весь процесс доступа к содержимому памяти, объясняет Саррат. В отличие от Flash, в MRAM перед записью в ячейку памяти не требуется этап стирания. Запись можно выполнить за один шаг, а не за пять последовательных шагов во Flash. Более того, благодаря 1 миллиону циклов записи/стирания MRAM можно использовать так же, как сегодняшнюю EEPROM, но, в отличие от последней, она может быть интегрирована в кристалл, что устраняет необходимость во внешней EEPROM. Аналогичным образом можно отказаться от внешней флэш-памяти для регистрации данных. Кроме того, это снижает затраты на работу схем поддержания работоспособности в качестве меры защиты от отключения электроэнергии в автомобиле. Кроме того, схема MRAM может работать при стандартном напряжении микросхемы 1,8 В, тогда как для Flash требуется встроенная схема для генерации напряжения 9 В, необходимого для процесса записи.

MRAM также снижает сложность программного обеспечения. Поскольку при использовании Flash область памяти должна быть стерта перед каждой записью, никаких процедур планирования стирания не требуется, что упрощает программное обеспечение драйвера и загрузчика. В определенных случаях, например, при доступе к справочным таблицам, калибровочным данным и аналогичным редко обновляемым наборам данных, MRAM может заменить SRAM, освобождая ценную емкость SRAM для альтернативных функций, пояснил Саррат.

Благодаря сотрудничеству с TSMC NXP может реализовать MRAM по 16-нм техпроцессу. «Мы не анонсируем конкретный продукт», — поясняет Саррат из NXP. «Вместо этого это объявление касается нашего сотрудничества с TSMC». Тем не менее, сотрудничество направлено на то, чтобы рано или поздно реализовать реальные продукты. Первые продукты можно ожидать в первой половине 2025 года.

www.nxp.com

Как мощные процессоры помогают совершенствовать архитектуру автомобилей

S32MCU специализируется на тяговых приложениях для электромобилей.

16-нм автомобильные процессоры повышают производительность вычислений

Сетевой ЭБУ управляет потоком данных между транспортным средством и облаком.

Микроконтроллеры Infineon перейдут на RRAM с TSMC

IEDM: встроенная 14-нм MRAM имеет рекордную энергоэффективность

MRAM в формате SRAM имеет емкость 1 Гбит и 4 Гбит.

Hyundai представляет агрессивную дорожную карту для программно-определяемых автомобилей