Ikw75n65es5 Электронный компонент Infineon IGBT 75A 650 В

Базовая информация

Модель №.	IKW75N65ES5
Сертификация	РоХС
Структура инкапсуляции	Чип-Транзистор
Монтаж	Плагин-триод
функция	Силовой триод
Материал	пластик и медь
Подробное описание	Биполярный транзистор с изолированным затвором
Номер продукта	Ikw75n65es5
Максимальный уровень напряжения	650,0 В
Категория	Igbts - Single
Напряжение – отказ коллектор-эмиттер	650В
Описание Самаксиса	IGBT-транзисторы
Тип крепления	сквозное отверстие
Транспортный пакет	Рор
Спецификация	пластик и медь
товарный знак	Китай
Источник	Китай

Описание продукта

Особенности продукта

• Очень низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat • Лучший в своем классе компромисс между линией и коммутацией • Напряжение пробоя 650 В • Низкий заряд затвора QG • Максимальная температура перехода 175°C • Сертификация JEDEC для целевых применений • Свинцовое покрытие, не содержащее свинца

Сопутствующие товарыТип упаковкиОбласти примененияИнформация о компанииНаша выставка

FAQ1.Who are you?We are Manufacturer of High Quality China's Own Chips Included IC,Transistor,Resistor,Capacitors,Memory,IGBT, Mosfet,Traic/SCR,Optoelectronics.Almost all componentsof electronics in our production.2.Do you also selling Original parts?Yes,We are also supplying original Materials bcz all of our designed chips are based onthe Original,So we are cooperating with some Original of Design and DevelopmentDepartment that we have good sources of original.3.What is your advantage?Our High Quality Products with reasonable price can completely replace theoriginal components.4.Can you provide OEM Service?Yes,we can,If you have Projects and request plz contact us.5.Can i buy all im requireing components from you?Of course yes,From Bom List quotation till Door to Door express service,We have professional Sales to connect with you all the time.